[发明专利]AlN基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201280029532.7 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103608313A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 山本刚久;石津定 | 申请（专利权）人： | 联合材料公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供与被接合在接合面的半导体基板等其他构件之间的热传递效率优异的AlN基板，以及用于制造上述AlN基板的制造方法。AlN基板由包含2A族元素、3A族元素的AlN的烧结体形成，接合面的表面粗糙度Ra为3nm以下，在上述接合面上露出的长径0.25μm以上的空隙的、上述长径的平均值为1.5μm以下且最大值为1.8μm以下。制造方法如下所述：通过在包含88.7～98.5质量％的AlN、以氧化物换算计为0.01～0.3质量％的2A族元素、以氧化物换算计为0.05～5质量％的范围的3A族元素的烧结材料形成前体，将该前体在1500～1900℃的温度下烧结而形成烧结体，在1450～2000℃的温度及9.8MPa以上的压力下对上述烧结体进行HIP处理。 | ||
| 搜索关键词： | aln 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种AlN基板，其特征在于，是具有与其他构件的接合面的AlN基板，所述AlN基板由包含2A族元素及3A族元素的AlN的烧结体形成，所述接合面的表面粗糙度Ra为15nm以下，在所述接合面上露出的长径0.25μm以上的空隙的、所述长径的平均值为1.5μm以下且最大值为1.8μm以下。
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