[发明专利]串联式热处理装置无效
| 申请号： | 201280020758.0 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103503123A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李炳一 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种串联式热处理装置。本发明的串联式热处理装置，在多个加热炉中分别设置多个加热器，而多个加热器分别独立地控制。因此，各加热炉的温度及彼此相邻的加热炉之间的温度，沿着基板的移送方向以缓慢的梯度发生线性变化，所以不存在基板因热冲击或热应力而损伤的风险。此外，本发明涉及的串联式热处理装置，抬起基板进行移送，因此基板与用于移送基板的组件之间无摩擦。从而防止产生摩擦引起的微粒（Particle），不会发生微粒导致基板损伤。此外，本发明涉及的串联式热处理装置，用于移送基板的组件之间不会有摩擦引起的磨损，从而能够准确地移送基板。因此，热处理基板时不会发生错误。所以根据本发明，能够提高基板的热处理工艺的生产率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 串联式 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种串联式热处理装置，其特征在于，包括：多个加热炉（Furnace），连续配置，分别提供对基板进行热处理的空间；移送机构，设置在所述各加热炉的内部，用于移送所述基板；以及加热器，在各所述加热炉的内部分别独立地设置有多个所述加热器，其分别独立地受到控制，用于加热所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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