[发明专利]用于气体输送的方法和设备有效
| 申请号: | 201280020467.1 | 申请日: | 2012-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN103518005A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 叶祉渊;金以宽 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本文揭示了用于气体输送的方法和设备。在一些实施例中,气体输送系统包括:安瓿,该安瓿用于储存固态或液态前驱物;第一导管,该第一导管耦接至该安瓿且该第一导管具有耦接至第一气源第一末端,以将前驱物的蒸气从安瓿中抽取到第一导管中;第二导管,该第二导管在位于安瓿下游的第一接合处耦接至第一导管且该第二导管具有第一末端和第二末端,该第一末端耦接至第二气源而该第二末端耦接至处理腔室;和热源,该热源配置成加热安瓿和从安瓿至第二导管的第一导管的至少第一部分,以及加热第二导管的仅第二部分,其中该第二导管的第二部分包括第一接合处。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 气体 输送 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种气体输送系统,所述气体输送系统包括:安瓿,所述安瓿用于储存固态或液态的前驱物;第一导管,所述第一导管耦接至所述安瓿,且所述第一导管具有耦接至第一气源的第一末端,以将所述前驱物的蒸气从所述安瓿抽取到所述第一导管中;第二导管,所述第二导管在位于所述安瓿下游的第一接合处耦接至所述第一导管,且所述第二导管具有第一末端和第二末端,所述第一末端耦接至第二气源,而所述第二末端耦接至处理腔室;和热源,所述热源配置成加热所述安瓿和从所述安瓿至所述第二导管的所述第一导管的至少第一部分,以及加热所述第二导管的仅第二部分,其中所述第二导管的所述第二部分包括所述第一接合处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





