[发明专利]用于将材料沉积在基板上的设备有效
申请号: | 201280019802.6 | 申请日: | 2012-04-19 |
公开(公告)号: | CN103597580A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯;戴维·K·卡尔森;凯文·鲍蒂斯塔;赫尔曼·P·迪尼兹;凯拉什·帕塔雷;尼·O·谬;丹尼斯·L·德马斯;克里斯托夫·马卡德;史蒂夫·江珀;萨瑟施·库珀奥 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中,用于处理基板的设备可包括:处理腔室,该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件,以支撑基板的处理表面;喷射器,该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧,且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体,其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面;喷淋头,该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面;以及排气口,该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。 | ||
搜索关键词: | 用于 材料 沉积 基板上 设备 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的设备,所述设备包含:处理腔室,所述处理腔室具有温控反应容积,所述温控反应容积包括包含石英的内表面,且所述处理腔室具有基板支撑件,所述基板支撑件安置于所述温控反应容积内部以支撑基板的处理表面;加热系统,所述加热系统安置于所述基板支撑件的下方以提供热能至所述基板支撑件;喷射器,所述喷射器被安置至所述基板支撑件的第一侧,且所述喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及所述喷射器具有第二流动路径以独立于所述第一处理气体而提供第二处理气体,其中所述喷射器被定位以提供所述第一处理气体及所述第二处理气体遍及所述基板的所述处理表面;喷淋头,所述喷淋头安置于所述基板支撑件的上方以提供所述第一处理气体至所述基板的所述处理表面;以及加热排气歧管,所述加热排气歧管被安置至所述基板支撑件的第二侧,与所述喷射器相对以从所述处理腔室排出所述第一处理气体及所述第二处理气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280019802.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造