[发明专利]光半导体元件

摘要

本发明提供一种可小型化且可容易制作的多波长的光半导体元件。半导体激光元件（1A）包括：GaN基板（10），其主面（10a）具有第一面取向；激光构造部（20），其生长于主面（10a）的第一区域上，且包含活性层（24）；GaN薄膜（40），其经由接合层（41）而接合于主面（10a）的与第一区域不同的第二区域，且表面（40a）具有与第一面取向不同的第二面取向；以及激光构造部（30），其生长于GaN薄膜（40）的表面（40a）上，且包含活性层（34）。活性层（24、34）分别具有包含In的阱层，这些阱层的发光波长互不相同。

主权项

一种光半导体元件，其特征在于，包括：III族氮化物半导体基板，主面具有第一面取向；第一III族氮化物半导体叠层部，生长于所述主面的第一区域上，且包含第一活性层；III族氮化物半导体薄膜，经由接合层而接合于所述主面的与所述第一区域不同的第二区域，且表面具有与所述第一面取向不同的第二面取向；以及第二III族氮化物半导体叠层部，生长于所述III族氮化物半导体薄膜的所述表面上，且包含第二活性层，所述第一活性层及第二活性层分别具有包含In的第一阱层及第二阱层，所述第一阱层及第二阱层的发光波长互不相同。