[发明专利]有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法有效
| 申请号： | 201280015404.7 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103460270A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 有源矩阵基板(1)具有源极电极(32)、漏极电极(33)和含有氧化物半导体的半导体层(31)，在栅极电极(12a)之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层(42)，在栅极绝缘层(42)之上形成有源极电极(32)、漏极电极(33)和半导体层(31)，在栅极绝缘层(42)之上以不覆盖半导体层(31)的方式形成有含有氮化硅的第一保护层(44)，在半导体层(31)之上形成有含有氧化硅的第二保护层(46)。第一保护层(44)覆盖信号线(14)和源极连接线(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵基板，其具备具有氧化物半导体的薄膜晶体管，所述有源矩阵基板的特征在于，具备：所述薄膜晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极；对所述源极电极供给电压的信号线；供给所述薄膜晶体管的开关信号的扫描线；和与所述源极电极和漏极电极连接的含有氧化物半导体的半导体层，(A)在所述栅极电极之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层之上形成有所述源极电极、所述漏极电极和所述半导体层，在所述栅极绝缘层之上以不覆盖所述半导体层的方式形成有含有氮化硅的第一保护层，在所述半导体层之上形成有含有氧化硅的第二保护层，或者(B)以不覆盖所述半导体层的方式形成有含有氮化硅的第一保护层，在所述半导体层之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层，在所述半导体层的沟道部上方的所述栅极绝缘层之上形成有所述栅极电极，在所述栅极电极之上形成有含有氮化硅的第二保护层。
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