[发明专利]有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其具备具有氧化物半导体的薄膜晶体管，所述有源矩阵基板的特征在于，具备：

所述薄膜晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极；

对所述源极电极供给电压的信号线；

供给所述薄膜晶体管的开关信号的扫描线；和

与所述源极电极和漏极电极连接的含有氧化物半导体的半导体层，

(A)在所述栅极电极之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层，

在所述栅极绝缘层之上形成有所述源极电极、所述漏极电极和所述半导体层，

在所述栅极绝缘层之上以不覆盖所述半导体层的方式形成有含有氮化硅的第一保护层，

在所述半导体层之上形成有含有氧化硅的第二保护层，

或者

(B)以不覆盖所述半导体层的方式形成有含有氮化硅的第一保护层，

在所述半导体层之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层，

在所述半导体层的沟道部上方的所述栅极绝缘层之上形成有所述栅极电极，

在所述栅极电极之上形成有含有氮化硅的第二保护层。

2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

具有将所述信号线和所述源极电极连接的源极连接线，

所述信号线和所述源极连接线形成为与所述第一保护层接触。

3.如权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述信号线形成于由透明电极材料形成的电极层之上，

所述源极电极含有所述透明电极材料，

在所述源极电极的一部分之上形成有所述源极连接线。

4.如权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

具备各自包含像素电极的多个像素，

所述源极电极、所述漏极电极和所述像素电极由相同的透明电极材料形成在同一层。

5.如权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于：

具备形成于所述多个像素中的各个像素的辅助电容，

所述辅助电容的辅助电容电极以隔着所述栅极绝缘层与所述像素电极相对的方式配置。

6.如权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

具备包含所述信号线的一部分的信号线端子，

在所述信号线端子内形成有贯通所述第一保护层和所述第二保护层到达所述信号线的接触孔。

7.如权利要求1至6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：

具备包含所述扫描线的一部分的栅极线端子，

在所述栅极线端子内形成有至少贯通所述第二保护层到达所述扫描线的接触孔。

8.一种显示装置，其特征在于：

具有权利要求1至7中任一项所述的有源矩阵基板。

9.一种有源矩阵基板的制造方法，该有源矩阵基板具备具有氧化物半导体的薄膜晶体管，所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，包括：

形成成为所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的电极层的工序；

在所述电极层之上层叠金属层的工序；

在所述金属层之上形成含有氮化硅的第一保护层的工序；

对所述第一保护层和所述金属层进行图案化，使所述电极层的一部分露出的工序；

在所述电极层之上形成含有氧化物半导体的半导体层的工序；和

在露出的所述电极层、所述半导体层和残余的所述第一保护层之上形成含有氧化硅的第二保护层或栅极绝缘层的工序。

10.如权利要求9所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：

在露出的所述电极层、所述半导体层和残余的所述第一保护层之上形成有含有氧化硅的第二保护层，

在形成所述电极层前实施：形成所述薄膜晶体管的栅极电极的工序；和在所述栅极电极之上形成栅极绝缘层的工序。

11.如权利要求9所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：

在露出的所述电极层、所述半导体层和残余的所述第一保护层之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层，

在形成所述栅极绝缘层后实施：在所述半导体层上方的所述栅极绝缘层之上形成所述薄膜晶体管的栅极电极的工序；和在所述栅极电极之上形成含有氮化硅的第二保护层的工序。