[发明专利]Cu合金膜和具备它的显示装置或电子装置在审
| 申请号： | 201280015108.7 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103460351A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 富久胜文;三木绫;后藤裕史;中井淳一 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/05;C22C9/06;C23C14/14;G02F1/1343;G09F9/30;H01B5/02;H01L21/28;H01L23/52;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。 | ||
| 搜索关键词： | cu 合金 具备 显示装置 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种Cu合金膜，其特征在于，是在基板上与基板和/或绝缘膜直接接触的Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜由从基板侧按顺序含有第一层和第二层的层叠构造构成，所述第一层是作为合金成分含有从由Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和Ni所构成的群中选择的至少一种元素X的Cu－Mn－X合金层（第一层）；所述第二层是由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层低的铜合金构成的层（第二层）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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