[发明专利]物理量传感器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280012833.9 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN103443583A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 早川康男;上村秀树;中山一英 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G01C19/5783 | 分类号： | G01C19/5783;G01R33/02;H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 海坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供具有改善了由导电构件、传感器电极及基板电极构成的接合部的密接性的电极结构的物理量传感器装置及其制造方法。通过导电构件(31a)覆盖设于传感器电极(11)的突出的凸部(12)的至少一部分，而将导电构件(31a)牢固地固定于传感器电极(11)，从而改善了所述接合部的密接性。 | ||
| 搜索关键词： | 物理量 传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种物理量传感器装置，其特征在于，具有：传感器芯片，其检测物理量；电路基板，其被安装所述传感器芯片；传感器电极，其设置在所述传感器芯片的一面的周缘部；以及基板电极，其在所述电路基板的一面与所述传感器电极导通，所述电路基板的一面与所述传感器芯片的一面大致正交，且所述传感器电极与所述基板电极相邻设置，设有与所述传感器电极和所述基板电极接合的导电构件，在所述传感器电极上设有突出的凸部，所述导电构件覆盖所述突出的凸部的至少一部分。
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