[发明专利]具有掺杂空穴导体层的有机半导体元件有效

专利信息
申请号: 201280006603.1 申请日: 2012-01-05
公开(公告)号: CN103339753B 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: G.施密德;J.H.威姆肯;R.凯勒曼;A.马尔坦伯格 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贾静环
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 具有空穴导体层(20)的有机半导体元件(10)可以通过依据本发明的具有超酸盐的p‑掺杂在其电荷传输和光学性质上得到显著改善。除了在非常低的掺杂浓度下提高比传导率外,新的掺杂基本上对于人眼来说并不对层的颜色效果造成任何负面改变。空穴导体层的吸收能力在可见波长范围内因为具有超酸盐的p‑掺杂而没有升高。还可以从溶液以及气相中沉积出来。
搜索关键词: 具有 掺杂 空穴 导体 有机半导体 元件
【主权项】:
具有至少一个有机空穴导体层(20)的半导体元件(10),所述空穴导体层具有超酸盐的p‑掺杂,其中所述超酸盐为这样一种超酸的盐,其中所述超酸是酸常数pKa小于‑4的酸,并且其中所述超酸盐包括三氟磺酸盐,所述三氟磺酸盐是三氟甲磺酸的金属盐。
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