[发明专利]用于光伏电池的导电基材有效
| 申请号： | 201280003996.0 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103329277A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | J·帕尔姆;M·于里安;G·鲁伊滕贝格;C·莱德尔;A·海斯;E·马埃;D·迪皮伊 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄念;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的主题为用于光伏电池的导电基材(1)，包括载体基材(2)和在载体基材(2)上形成的电极涂层(6)。电极涂层(6)包括在载体基材(2)上形成的主钼基层(8)，在主钼基层(8)上形成的硒化阻挡层(10)以及，在硒化阻挡层(10)上，金属M基上层(12)，其能够在硫化和/或硒化后形成与光活性半导体材料欧姆接触的层。硒化阻挡层(10)具有小于或等于50nm，优选小于或等于30nm，更优选小于或等于20nm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电池 导电 基材 | ||
【主权项】：
用于光伏电池的导电基材(1)，包括载体基材(2)和在载体基材(2)上形成的电极涂层(6)，其中电极涂层(6)包括：‑在载体基材(2)上形成的主钼基层(8)；‑在主钼基层(8)上形成的硒化阻挡层(10)，硒化阻挡层(10)具有小于或等于50nm，优选小于或等于30nm，更优选小于或等于20nm的厚度；以及‑在硒化阻挡层(10)上，金属M基上层(12)，其在硫化和/或硒化后可以形成与光活性半导体材料欧姆接触的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
