[发明专利]配线基板及配线基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280003136.7 申请日: 2012-06-07
公开(公告)号: CN103125147A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 久保彻朗;桧森刚司;平井昌吾 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H05K1/11 分类号: H05K1/11;H01B1/24;H05K3/40;H05K3/46
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 配线基板具有中心基板部、绝缘层、第二配线以及作为贯通件膏剂的硬化物的贯通件。贯通件膏剂具有第一潜在性硬化剂和第二潜在性硬化剂、未硬化树脂混合物以及导电粒子。第一潜在性硬化剂的软化温度和第二潜在性硬化剂的软化温度均为40℃以上且200℃以下,第一潜在性硬化剂的软化温度与第二潜在性硬化剂的软化温度的差为10℃以上且140℃以下。
搜索关键词: 配线基板 制造 方法
【主权项】:
一种配线基板,其特征在于,具有:中心基板部,在其表面设有第一配线;第二配线,其隔着绝缘层层叠在所述中心基板部上;贯通件,其以具有突出部的方式填充在形成于所述绝缘层的孔中,并将所述第一配线和所述第二配线电连接,其中,所述绝缘层由预浸料坯的硬化物构成,所述贯通件由贯通件膏剂的硬化物构成,所述贯通件膏剂具有:第一潜在性硬化剂和第二潜在性硬化剂;通过所述第一潜在性硬化剂和所述第二潜在性硬化剂硬化的未硬化树脂混合物;以及导电粒子,所述第一潜在性硬化剂的软化温度和所述第二潜在性硬化剂的软化温度均为40℃以上且200℃以下,所述第一潜在性硬化剂的软化温度和所述第二潜在性硬化剂的软化温度的差为10℃以上且140℃以下,所述预浸料坯在所述第一潜在性硬化剂的所述软化温度与所述第二潜在性硬化剂的所述软化温度之间软化,所述贯通件膏剂通过在所述预浸料坯的所述孔中粘度上升并硬化而成为所述贯通件膏剂的所述硬化物。
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