[发明专利]电阻变化元件及其制造方法有效
申请号: | 201280001934.6 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN103650142A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 魏志强;高木刚;三谷觉;川岛良男;高桥一郎 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种电阻变化元件,具有第1电极(107)、第2电极(105)、以及介于第1、第2电极(107、105)间并与第1、第2电极(107、105)相接而设置、基于施加的电信号而电阻值可逆地变化的电阻变化层(106);电阻变化层(106)通过由氧不足型的第1金属氧化物构成的第1电阻变化层(106b)、和由氧不足度比第1电阻变化层(106b)的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成的第2电阻变化层(106a)的层叠构造而构成;第2电极(105)在与第2电阻变化层(106a)之间的界面处仅具有一个针状部;第2电阻变化层(106a)介于第1电阻变化层(106b)与第2电极(105)之间并与第1电阻变化层(106b)和第2电极(105)相接、并且覆盖上述针状部而设置。 | ||
搜索关键词: | 电阻 变化 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电阻变化元件,具有第1电极、第2电极和电阻变化层,该电阻变化层被设置为,介于上述第1电极与上述第2电极之间并与上述第1电极和上述第2电极相接,该电阻变化层的电阻值基于在上述第1电极与上述第2电极之间施加的电信号而可逆地变化,上述电阻变化层通过将第1电阻变化层和第2电阻变化层层叠而构成,该第1电阻变化层由氧不足型的第1过渡金属氧化物层构成,该第2电阻变化层由氧不足度比上述第1过渡金属氧化物的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成;上述第2电极具有朝向上述第2电阻变化层突出的仅一个针状部;上述第2电阻变化层被设置为,介于上述第1电阻变化层与上述第2电极之间并与上述第1电阻变化层和上述第2电极相接,并且覆盖上述第2电极的上述针状部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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