[实用新型]一种硅片镀膜用石墨框卡钩有效
| 申请号： | 201220644325.X | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN203007413U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘粉霞 | 申请（专利权）人： | 光为绿色新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 周献济 |
| 地址： | 074000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅片镀膜用石墨框卡钩，其包括横支撑；在横支撑上端有卡接在石墨框格条上的连接卡，下端有向外倾斜的两支撑架，两支撑架上端面为粗糙面。使用时，硅片只是两端支撑在本实用新型的硅片支撑架上，其底面的盘面上不再接触硅片支撑架，所以不影响硅片的镀膜，硅片的镀膜面积大、均匀性好，增加了Roth&RauPECVD下镀膜设备生产的太阳能电池的减反射和钝化面积，从而提高太阳能电池的转换效率。本实用新型支撑硅片更可靠，硅片不易滑落；且降低了PECVD下镀膜设备的碎片率及隐裂片率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 镀膜 石墨 框卡钩 | ||
【主权项】：
一种硅片镀膜用石墨框卡钩，其特征在于：其包括横支撑；在横支撑上端有卡接在石墨框格条上的连接卡，下端有向外倾斜的两支撑架，两支撑架上端面为粗糙面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
