[实用新型]气相外延材料生长多腔分步式处理装置有效
| 申请号： | 201220573278.4 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN203007478U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 袁志鹏;刘鹏;张俊业;王健辉;王永旺;张国义;童玉珍;孙永健 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭一兵;王东亮 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种气相外延材料生长多腔分步式处理装置，增加反应腔体，针对性制造不同反应腔体，细化利用各种反应腔喷头。本实用新型包含有一个及以上的工艺处理腔，工艺处理腔侧面设有两个及以上的分步HVPE外延生长腔，工艺处理腔与分步HVPE外延生长腔之间设有一个及以上的装载/卸载晶片室，工艺处理腔、装载/卸载晶片室与分步HVPE外延生长腔之间设有传递作用的一个及以上的联动传递结构。本实用新型解决晶体材料生长步骤中热力学、化学反应动力学和不同生长条件沉积速率与反应腔喷头流速控制精度匹配等问题，以高效率批量获得高质量GaN衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 材料 生长 分步 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种气相外延材料生长多腔分步式处理装置，包含有：一个及以上的工艺处理腔，其特征在于，所述工艺处理腔侧边设有两个及以上的分步HVPE外延生长腔，所述工艺处理腔与分步HVPE外延生长腔之间设有一个及以上的装载/卸载晶片室，所述工艺处理腔、装载/卸载晶片室与分步HVPE外延生长腔之间设有传递石墨托盘的一个及以上的联动传递结构，所述工艺处理腔、分步HVPE外延生长腔、装载/卸载晶片室内设有石墨盘装载盒。
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