[实用新型]高效高压LED芯片有效
| 申请号： | 201220504511.3 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN202917531U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿悦;华斌;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（苏州）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高效高压LED芯片，包括衬底、依次形成在所述的衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层，所述的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的图形单元，其位于中部的图形单元呈三角形，而位于两侧的图形单元呈梯形以整体上构成四边形，每个图形单元由导电材料连结形成串联和/或并联。与现有技术相比，本实用新型的LED中各单元图形为更利于侧壁出光的三角形，显著提升了芯片的出光效率；不同单元的发光面积均匀，避免了多颗单元间电流密度不同导致的发光效率不同、产生热量不同等问题。本器件具有出光率高、芯片内部发光发热均匀，稳定性高的特点，具有更好的可靠性，更加适合于高压LED的运用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 高压 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种高效高压LED芯片，包括衬底、依次形成在所述的衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层，其特征在于：所述的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的图形单元，其每个所述的图形单元呈三角形并且整体上构成四边形结构，每个图形单元由导电材料连结形成串联和/或并联。
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