[实用新型]高效高压LED芯片有效

申请号：	201220504511.3	申请日：	2012-09-29
公开（公告）号：	CN202917531U	公开（公告）日：	2013-05-01
发明（设计）人：	赵鸿悦;华斌;孙智江	申请（专利权）人：	海迪科（苏州）光电科技有限公司
主分类号：	H01L33/20	分类号：	H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32
代理公司：	苏州广正知识产权代理有限公司 32234	代理人：	张汉钦
地址：	215131 江苏省苏州***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	高效高压 led 芯片
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【权利要求书】：

1. 一种高效高压LED芯片，包括衬底、依次形成在所述的衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层，其特征在于：所述的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的图形单元，其每个所述的图形单元呈三角形并且整体上构成四边形结构，每个图形单元由导电材料连结形成串联和/或并联。

2. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：位于所述的阵列中部的图形单元呈三角形，而位于所述的阵列两侧的图形单元呈近似的直角三角形以整体上构成四边形结构。

3. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：各个所述的图形单元的发光面积相等。

4. 根据权利2所述的高效高压LED芯片，其特征在于：各个所述的图形单元的电流密度相一致。

5. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：各个所述的图形单元的之间呈平行排列或者对角排列。

6. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：所述的P型GaN限制层表面覆盖有绝缘材料。

7. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：各个所述的图形单元的P型电极下方设置有电流阻挡层。

8. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：每个所述的图形单元串联和/或并联后形成高电压LED或高直流电流LED，或者每个所述的图形单元按桥式电路连接后形成交流高压LED。

9. 根据权利1所述的高效高压LED芯片，其特征在于：所述外延发光层包括蓝光、绿光或红光发光层。

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