[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201220497900.8 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN202948930U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;吴振兴;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例公开了一种半导体器件，包括：基底，该基底包括本体层；位于本体层表面内的主结和场限环，主结的深度大于场限环的深度。本实用新型实施例提供的半导体器件通过在不同的光刻步骤下，先后形成主结和场限环，并使主结结深大于场限环结深，从而降低了主结处的峰值电场，同时使主结对氧化层中各类电荷的敏感度下降，最终提高了器件的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括本体层； 位于所述本体层表面内的主结和场限环，所述主结的深度大于所述场限环的深度。
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