[实用新型]一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件有效
| 申请号： | 201220474757.0 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN203013731U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何志;杨富华;孙国胜;俞军;韩景瑞;黎秀靖;萧黎鑫;张新河 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件。该器件包括：碳化硅、在碳化硅表面沉积的欧姆接触层、以及在欧姆接触层上沉积的保护层，所述的保护层为氮化钛。本实用新型在欧姆接触层上形成一层保护层，该保护层在高温下具有很好的抗氧化性能，可以防止欧姆接触退火以及后续的工艺的过程中欧姆接触部分氧化失效。其次，室温下保护层具有很高的化学稳定性，最后，保护层的硬度高，机械性能好，可以对欧姆接触层形成很好的防护作用，防止各种物理作用对欧姆接触的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 欧姆 接触 保护层 碳化硅 器件 | ||
【主权项】：
一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件，其特征在于：该器件包括：碳化硅（1）、在碳化硅（1）表面沉积的欧姆接触层（2）、以及在欧姆接触层（2）上沉积的保护层（3）。
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