[实用新型]一种晶体管版图结构及芯片版图结构有效
| 申请号： | 201220383542.8 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202758893U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 雷军;谢文刚;任民 | 申请（专利权）人： | 成都国微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种晶体管版图结构及芯片版图结构，所述晶体管版图结构包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，栅极区、源极区和漏极区位于衬底区上，其中：所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。相对于现有的晶体管版图结构中，呈条状结构的栅极区，本申请实施例中，环状结构的晶体管栅极区，在所述栅极区总长度一定的前提下，环形的栅极区可大大减少所述栅极区所需要占据的面积，即相应的减少单个晶体管的面积，并减小了由晶体管集成的芯片的面积，有效降低了晶体管和由晶体管集成的芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 版图 结构 芯片 | ||
【主权项】：
一种晶体管版图结构，其特征在于，包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，所述栅极区、所述源极区和所述漏极区位于所述衬底区上，其中：所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。
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