[实用新型]一种控制基座外缘聚焦环温度的组件有效
| 申请号： | 201220328056.6 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN202651058U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 彭帆;吴狄;左涛涛 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种控制基座外缘聚焦环温度的组件，所述组件位于等离子体处理室内，所述等离子体处理室内包括一基座，用以支撑待加工晶片，所述待加工晶片外缘环绕设置一聚焦环，所述聚焦环下方设置一导热环，所述聚焦环的下表面与所述导热环之间设置第一导热垫，所述导热环与所述基座之间设置第二导热垫。通过在所述聚焦环下方设置多层导热层，最大效率的保证聚焦环的热量快速传递到所述基座上，由于所述基座内部设置有冷却系统，所述聚焦环的热量传递到所述基座后可以被基座内的冷却系统带走，从而可以保持所述基座温度控制在要求范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 基座 外缘 聚焦 温度 组件 | ||
【主权项】：
一种控制基座外缘聚焦环温度的组件，位于一等离子体处理室内，所述等离子体处理室内包括一基座，用以支撑待加工晶片，所述待加工晶片外缘环绕设置一聚焦环，所述聚焦环包括一上表面和一下表面，所述上表面与等离子体处理室内的等离子体接触，所述下表面下方设置一导热环，所述导热环坐落于所述基座上，其特征在于：所述聚焦环的下表面与所述导热环之间设置第一导热垫，所述第一导热垫的厚度小于2毫米；所述导热环与所述基座之间设置第二导热垫，所述第二导热垫的厚度小于2毫米。
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