[实用新型]一种控制基座外缘聚焦环温度的组件

权利要求书

1.一种控制基座外缘聚焦环温度的组件，位于一等离子体处理室内，所述等离子体处理室内包括一基座，用以支撑待加工晶片，所述待加工晶片外缘环绕设置一聚焦环，所述聚焦环包括一上表面和一下表面，所述上表面与等离子体处理室内的等离子体接触，所述下表面下方设置一导热环，所述导热环坐落于所述基座上，

其特征在于：所述聚焦环的下表面与所述导热环之间设置第一导热垫，所述第一导热垫的厚度小于2毫米；所述导热环与所述基座之间设置第二导热垫，所述第二导热垫的厚度小于2毫米。

2.根据权利要求1所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述第一导热垫和所述第二导热垫包括弹性硅胶材料。

3.根据权利要求1所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述第一导热垫的厚度小于0.2毫米，所述第二导热垫的厚度大于0.2毫米，小于2毫米。

4.根据权利要求3所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述的导热环与所述基座的接触面之间设置一具有一定宽度的凹槽，所述凹槽在所述导热环上形成一凹面，所述凹槽的凹面上设置可自由拆卸的第二导热垫，所述第二导热垫与所述基座接触，所述凹槽的凹入深度小于第二导热垫的厚度。

5.根据权利要求3所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述的导热环与所述基座的接触面之间设置一具有一定宽度的凹槽，所述凹槽在所述基座的接触面上形成一凹面，所述凹槽的凹面上设置可自由拆卸的第二导热垫，所述第二导热垫另一面与所述导热环接触，所述凹槽的凹入深度小于第二导热垫的厚度。

6.根据权利要求3所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述的导热环与所述基座的接触面之间设置一具有一定宽度的凹槽，所述凹槽在所述导热环和所述基座的接触面上分别形成一上下对应的凹面，所述凹槽的两个凹面之间设置可自由拆卸的第二导热垫，所述两个凹面凹入深度之和小于第二导热垫的厚度。

7.根据权利要求4、5或6所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：

所述的凹槽宽度小于所述导热环的宽度。

8.根据权利要求4、5或6所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：

所述的导热环外缘设有一台阶，所述台阶上设置一具有一定重量的绝缘环。

9.根据权利要求1所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述第一导热垫的厚度大于0.2毫米，小于2毫米，所述第二导热垫的厚度小于0.2毫米。

10.根据权利要求1所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述第一导热垫的厚度小于0.2毫米，所述第二导热垫的厚度也小于0.2毫米。

11.根据权利要求1所述的控制基座外缘聚焦环温度的组件，其特征在于：所述第一导热垫的厚度大于0.2毫米，小于2毫米，所述第二导热垫的厚度大于0.2毫米，小于2毫米。