[实用新型]一种水平式碳化硅高温氧化装置有效

专利信息
申请号: 201220317180.2 申请日: 2012-07-02
公开(公告)号: CN202671720U 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 孙国胜;董林;王雷;赵万顺;刘兴昉;闫果果;郑柳 申请(专利权)人: 东莞市天域半导体科技有限公司
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;C30B29/36
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 罗晓聪
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种水平式碳化硅高温氧化装置,其包括:水平设置的双层石英管嵌套结构,其包括:一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管,该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔,该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配,令内、外层石英管之间相互隔绝;射频加热组件,其包括:保温件、加热件及加热驱动件,其中,加热件与内层石英管外壁形成间隙;密封结构中设有数个连通环形空腔的气孔;内层石英管两端分别安装有进气端部件及出气端部件,该进气端部件及出气端部件分别设有连通内层石英管内腔的第二进气口及第二出气口。本实用新型具有简易、灵活、多用、压力调节范围宽、易于控制、有较高氧化温度等诸多优点。
搜索关键词: 一种 水平 碳化硅 高温 氧化 装置
【主权项】:
一种水平式碳化硅高温氧化装置,该氧化装置包括:石英管嵌套结构及用于对石英管嵌套结构内放置的产品进行高温氧化处理的加热组件,其特征在于:所述的石英管嵌套结构为水平设置的双层石英管嵌套结构,其包括:一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管,其中,该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔,该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配,令内、外层石英管之间相互隔绝;所述的加热组件为射频加热组件,其包括:贴合固定于外层石英管内壁的保温件、贴合固定于保温件上的加热件及包覆于外层石英管外表面的加热驱动件,其中,加热件与内层石英管外壁形成有一间隙;所述的密封结构中设置有数个连通所述环形空腔的气孔;所述内层石英管两端分别以可拆装的方式紧密安装有一与密封结构紧密连接的进气端部件及出气端部件,该进气端部件及出气端部件分别设有与所述内层石英管的内腔连通的第二进气口及第二出气口。
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