[实用新型]一种水平式碳化硅高温氧化装置

权利要求书

1.一种水平式碳化硅高温氧化装置，该氧化装置包括：石英管嵌套结构及用于对石英管嵌套结构内放置的产品进行高温氧化处理的加热组件，其特征在于：

所述的石英管嵌套结构为水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管，其中，该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔，该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配，令内、外层石英管之间相互隔绝；

所述的加热组件为射频加热组件，其包括：贴合固定于外层石英管内壁的保温件、贴合固定于保温件上的加热件及包覆于外层石英管外表面的加热驱动件，其中，加热件与内层石英管外壁形成有一间隙；

所述的密封结构中设置有数个连通所述环形空腔的气孔；所述内层石英管两端分别以可拆装的方式紧密安装有一与密封结构紧密连接的进气端部件及出气端部件，该进气端部件及出气端部件分别设有与所述内层石英管的内腔连通的第二进气口及第二出气口。

2.根据权利要求1所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的密封结构包括：固定安装于所述双层石英管嵌套结构两端的法兰盘和密封压环；该法兰盘上开设有用于装配的通孔，该通孔包括与内层石英管配合的第一安装位以及与外层石英管配合的第二安装位，该第一安装位及第二安装位在法兰盘左右端面处形成有用于安装密封件的倒角。

3.根据权利要求2所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的密封压环紧密固定于法兰盘底部，且所述的外层石英管镶嵌于法兰盘的第二安装位中，该密封压环与法兰盘上第二安装位端口的倒角处设置有第一密封圈，令外层石英管的端口密封安装于法兰盘中。

4.根据权利要求1所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的进气端部件包括：一主体以及成型于主体下端的底板，该主体上成型设有贯通其内腔的通孔和所述的第二进气口，该主体上紧密安装有一可密封其通孔的盘盖，该主体与盘盖之间通过第三密封圈密封。

5.根据权利要求4所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述进气端部件通过底板稳固安装于所述的法兰盘上，且其内腔与所述的内层石英管的内腔相连通；该底板与法兰盘上第一安装位端口的倒角处设置有第二密封圈，令内层石英管的端口密封安装于法兰盘中。

6.根据权利要求2所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的密封结构中与环形空腔相连通的气孔设置于法兰盘上，并且位于右端的密封结构中的法兰盘上设置的气孔构成用于气体进入的第一进气口；位于左端的密封结构中的法兰盘上设置的气孔构成用于气体排出的第一出气口。

7.根据权利要求6所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的第一进气口和第一出气口均由法兰盘侧面连通至所述的第二安装位处，以与所述的环形腔体连通。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的保温件为碳毡保温层；所述的加热件为筒状石墨感应加热体；所述的加热驱动件为感应加热线圈。

9.根据权利要求2或3所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述法兰盘和密封压环均设有水冷结构。

10.根据权利要求4或5所述的一种水平式碳化硅高温氧化装置，其特征在于：所述的进气端部件及出气端部件均设有水冷结构。