[实用新型]直接出射线偏振光的发光二极管有效
申请号: | 201220310674.8 | 申请日: | 2012-06-28 |
公开(公告)号: | CN202695524U | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/10;H01L33/46 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 杭州市杭州经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种直接出射线偏振光的发光二极管,所述发光二极管在衬底上形成旋光阵列结构,并在外延层上形成偏振分光阵列结构,所述偏振分光阵列结构用于对自然偏振光产生分光作用,以透射一类型偏振光,反射另一类型偏振光,所述旋光阵列结构用于将所述偏振分光阵列结构反射的另一类型偏振光再次反射,并将其转换为与偏振分光阵列结构透射类型相同的偏振光后,再经过偏振分光阵列结构射出,从而不需要引入外置偏振片即可实现直接出射线偏振光的目的,为后续二次光学设计提供了便利,也缩小相应领域应用产品的体积,降低了其生产成本,且光能得到充分利用、基本无能量损失,同时本实用新型所述发光二极管的制造方法工艺成熟且易实施。 | ||
搜索关键词: | 直接 射线 偏振光 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种直接出射线偏振光的发光二极管,所述发光二极管由底层向上依次包括衬底和外延层,其特征在于,所述外延层上表面具有能够透射P型偏振光并反射S型偏振光的偏振分光阵列结构;所述衬底上表面具有能够反射S型偏振光并将其转换成P型偏振光后再出射的旋光阵列结构。
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