[实用新型]一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201220281200.5 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN202678330U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 王桂奋;谢德兵;王迎春 | 申请(专利权)人: | 金坛正信光伏电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0368 | 分类号: | H01L31/0368;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213250 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前电池易向薄膜中扩散杂质且转化率降低的问题。所述的多晶硅薄膜太阳能电池包括透明衬底、N型多晶硅薄膜、上电极、背电极和钝化层,N型多晶硅薄膜上制有p-n结,透明衬底设在背电极上,透明衬底上设有钝化层,在上电极和N型多晶硅薄膜之间设有N+掺杂层。本实用新型在晶硅薄膜的膜面使用钝化层,可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散,钝化多晶硅薄膜表面的化学活性,减小载流子在薄膜表面的复合率,从而增加转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 转化 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于:包括透明衬底(1)、N型多晶硅薄膜(2)、上电极(3)、背电极(4)和钝化层(5),N型多晶硅薄膜(2)上制有p‑n结,透明衬底(1)设在背电极(4)上,透明衬底(1)上设有钝化层(5),在上电极(3)和N型多晶硅薄膜(2)之间设有N+掺杂层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的