[实用新型]低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201220234809.7 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN202721142U | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省东莞市松山湖科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，在钠钙玻璃基板上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜，在所述钼薄膜镀有约0.7至2.0微米厚，或1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜及晶体，在铜铟镓硒薄膜及晶体与其上表面有“p-n结”薄膜区域。使用低温溅射，不会使“硒(Se)”流失，并能促进玻璃基板放气，促进薄膜间的粘合度，并启动“铜铟镓硒”晶体的生长。表中“铟”与“镓”的成分是我们常见的比例，Ga/(Ga+In)的比例也是十分理想的，要靠近0.3但不超过0.3，以求得最优化的“带宽(band gap)”，适宜批量生产并精准的低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 溅射 工艺 制造 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：在钠钙玻璃基板(1)上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜(2)，在所述钼薄膜(2)镀有约0.7至2.0微米厚，或1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜及晶体(3)，在铜铟镓硒薄膜及晶体(3)与其上表面有“p‑n结”薄膜区域(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
