[实用新型]一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关

摘要

本实用新型属于射频与微波集成电路设计技术领域，尤其涉及一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关，一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关，包括第一感性补偿单元、第二感性补偿单元、第三感性补偿单元、单刀双掷开关单元；所述第一感性补偿单元由PCB板或者封装焊盘PAD1、芯片上的焊盘PAD2和键合线B1组成，所述第二感性补偿单元由PCB板或者封装焊盘PAD4、芯片上的焊盘PAD3和键合线B2组成，所述第三感性补偿单元由PCB板或者封装焊盘PAD6，芯片上的焊盘PAD5和键合线B3组成，所述单刀双掷开关单元由场效应管Q1、Q2、Q3、Q4和场效应管的栅端隔离电阻R1、R2、R3、R4组成，本实用新型在不增加芯片面积的基础上，通过补偿开关的寄生电容，达到拓展开关的带宽，降低插入损耗，改善回波损耗的目的，有利于大规模生产。

主权项

1.一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关，其特征在于：包括第一感性补偿单元（1）、第二感性补偿单元（2）、第三感性补偿单元（3）、单刀双掷开关单元（4）；所述第一感性补偿单元（1）由PCB板或者封装焊盘PAD1、芯片上的焊盘PAD2和键合线B1组成，所述第二感性补偿单元（2）由PCB板或者封装焊盘PAD4、芯片上的焊盘PAD3和键合线B2组成，所述第三感性补偿单元（3）由PCB板或者封装焊盘PAD6，芯片上的焊盘PAD5和键合线B3组成，所述单刀双掷开关单元（4）由场效应管Q1、Q2、Q3、Q4和场效应管的栅端隔离电阻R1、R2、R3、R4组成；所述的场效应管Q1漏端与场效应管Q3的漏端连接，场效应管Q1的源端与场效应管Q2漏端连接，场效应管Q2的源端连接地，场效应管Q1的栅端与栅端隔离电阻R1连接，场效应管Q2的栅端与栅端隔离电阻R2连接，场效应管Q3的源端连接到场效应管Q4的漏端，场效应管Q4的源端连接地，场效应管Q3的栅端与栅端隔离电阻R3连接，场效应管Q4的栅端与栅端隔离电阻R4连接；栅端隔离电阻R1的一端和栅端隔离电阻R4的一端连接后连接控制电压，栅端隔离电阻R2的一端和栅端隔离电阻R3的一端连接后连接控制电压Vc；所述第一感性补偿单元（1）中的PCB板或者封装焊盘PAD1一端与射频信号端RFC连接，另一端与键合线B1连接，键合线B1与芯片上的焊盘PAD2连接，芯片上的焊盘PAD2与场效应管Q1的漏端和场效应管Q3的漏端同时连接；所述第二感性补偿单元（2）中的PCB板或者封装焊盘PAD4一端连接射频信号端RF1，另一端与键合线B2连接，键合线B2与芯片上的焊盘PAD3连接，芯片上的焊盘PAD3与场效应管Q1的源端和场效应管Q2的漏端同时连接；所述第三感性补偿单元（3）中的PCB板或者封装焊盘PAD6一端连接射频信号端RF2，另一端与键合线B3连接，键合线B3与芯片上的焊盘PAD5连接，芯片上的焊盘PAD5与场效应管Q3的源端和场效应管Q4的漏端同时连接。