[实用新型]一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关

说明书

技术领域

本实用新型属于射频与微波集成电路设计技术领域，尤其涉及一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关。 

背景技术

 近年来，随着无线通信技术的发展，多频多模兼容成为无线通信发展的一个趋势， 能满足多种通信标准的超宽带射频收发机成为了研究的热点。 

作为超宽带收发机的前端电路中的核心模块，开关必须同时满足在宽带范围内具有低插入损耗，高隔离度，低回波损耗。 

传统的串并联单刀双掷开关，开关在导通情况下，串联管导通，并联管截止；并联管在截止状态下带来的寄生电容导致开关的插入损耗和回波损耗随着频率的上升急剧下降。限制了开关的带宽，恶化了插入损耗，回波损耗等指标；且开关的设计没有考虑封装带来的寄生参数，所设计的开关经过封装或者裸片邦线到PCB板测试时，实测指标偏离原来的设计值。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于客服现有技术中的不足而提供一种利用感性补偿单元，补偿开关的寄生电容，在不增加芯片面积的基础上，显著改善开关的插入损耗，回波损耗，同时不影响隔离度的感性补偿的宽带射频单刀双掷开关。 

本实用新型的目的是这样实现的：一种感性补偿的宽带射频单刀双掷开关，包括第一感性补偿单元、第二感性补偿单元、第三感性补偿单元、单刀双掷开关单元； 

所述第一感性补偿单元由PCB板或者封装焊盘PAD1、芯片上的焊盘PAD2和键合线B1组成，所述第二感性补偿单元由PCB板或者封装焊盘PAD4、芯片上的焊盘PAD3和键合线B2组成，所述第三感性补偿单元由PCB板或者封装焊盘PAD6，芯片上的焊盘PAD5和键合线B3组成，所述单刀双掷开关单元由场效应管Q1、Q2、Q3、Q4和场效应管的栅端隔离电阻R1、R2、R3、R4组成；

所述的场效应管Q1漏端与场效应管Q3的漏端连接，场效应管Q1的源端与场效应管Q2漏端连接，场效应管Q2的源端连接地，场效应管Q1的栅端与栅端隔离电阻R1连接，场效应管Q2的栅端与栅端隔离电阻R2连接，场效应管Q3的源端连接到场效应管Q4的漏端，场效应管Q4的源端连接地，场效应管Q3的栅端与栅端隔离电阻R3连接，场效应管Q4的栅端与栅端隔离电阻R4连接；栅端隔离电阻R1的一端和栅端隔离电阻R4的一端连接后连接控制电压 ，栅端隔离电阻R2的一端和栅端隔离电阻R3的一端连接后连接控制电压Vc；

所述第一感性补偿单元中的PCB板或者封装焊盘PAD1一端与射频信号端RFC连接，另一端与键合线B1连接，键合线B1与芯片上的焊盘PAD2连接，芯片上的焊盘PAD2与场效应管Q1的漏端和场效应管Q3的漏端同时连接；

所述第二感性补偿单元中的PCB板或者封装焊盘PAD4一端连接射频信号端RF1，另一端与键合线B2连接，键合线B2与芯片上的焊盘PAD3连接，芯片上的焊盘PAD3与场效应管Q1的源端和场效应管Q2的漏端同时连接；

所述第三感性补偿单元中的PCB板或者封装焊盘PAD6一端连接射频信号端RF2，另一端与键合线B3连接，键合线B3与芯片上的焊盘PAD5连接，芯片上的焊盘PAD5与场效应管Q3的源端和场效应管Q4的漏端同时连接。

所述的单刀双掷开关单元的场效应管Q2的源端通过电容C1接地。 

所述的单刀双掷开关单元的场效应管Q4的源端通过电容C2接地。 

所述的键合线B1采用键合线B1，键合线B2采用键合线B2，键合线B3采用键合线B3。 

本实用新型具有如下的优点：本实用新型利用四个感性补偿单元，在不增加芯片面积的基础上，通过补偿开关的寄生电容，达到拓展开关的带宽，降低插入损耗，改善回波损耗的目的。且感性单元为外接电感、封装和绑定线带来的电感效应，且感性单元置于芯片外部，感性单元的电感量可以灵活调节；所设计的开关即为最终的产品状态；有利于大规模生产。 

附图说明

图1为本实用新型的实施例1的电路图。 

图2为本实用新型的实施例2的电路图。 

图3为本实用新型和普通单刀双掷开关插入损耗的性能对比。 

图4为本实用新型和普通单刀双掷开关隔离度的性能对比。 

图5为本实用新型和普通单刀双掷开关输入端回波损耗的性能对比。 

图6为本实用新型和普通单刀双掷开关输出端回波损耗的性能对比。 

具体实施方式

下面结合具体的实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。 

如图1、2所示，本实用新型包括第一感性补偿单元1、第二感性补偿单元（2）、第三感性补偿单元（3）、单刀双掷开关单元（4）；