[实用新型]等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201220130291.2 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN202633209U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 朴希侦 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种等离子体处理设备，所述设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。采用该结构，可以容易地修复和替换易受等离子体蚀刻损害的部分，以便于可以提高等离子体处理设备的耐用性。此外，能够最小化执行等离子体工艺的处理空间的变形，由此使得衬底具有均匀的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
等离子体处理设备，包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。
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