[实用新型]等离子体处理设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2011年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0065197、于2011年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0065198以及于2011年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0065199的优先权的权益，所述申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理设备，更具体地，涉及一种改善了耐等离子体蚀刻性能的等离子体处理设备。

背景技术

通常，等离子体处理设备应用于等离子体化学气相沉积(CVD)设备、等离子体溅射设备、等离子体蚀刻设备、等离子体离子注入和掺杂设备等，以在衬底上形成薄膜。

等离子体处理设备被构造成包括：被布置成相互面对且留有处理空间的上和下电极。在这种等离子体处理设备中，当在处理气体注入处理空间的情形下在电极之间施加射频(RF)功率时，在处理空间内产生等离子体，且在此时所产生的等离子体用于进行衬底处理工艺。

随着衬底处理工艺进行，会发生腔室内壁被在该工艺期间产生的等离子体蚀刻的现象。为了防止该现象，腔室内壁由耐蚀刻性能良好的材料制成，但即使在这种情形下，在集中分布有等离子体的衬底入口附近，蚀刻相对较活跃地发生。这种蚀刻现象不仅缩短等离子体处理设备的寿命，还会因为等离子体分布特性根据处理空间的变形而改变，导致难以处理均匀性质的衬底。

实用新型内容

因此，构思本发明以解决前述问题，且本发明的一个方面是提供一种等离子体处理设备，该设备在形成衬底入口的位置处具有改善的耐蚀刻性能，且具有在蚀刻发生的情况下容易修复且可替换的结构。

可以通过提供一种等离子体处理设备来实现前述方面，该设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。

可以通过提供一种等离子体处理设备来实现另一方面，该设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻；第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面；以及第三封盖部件，被安装成覆盖所述第二封盖部件的相邻于邻近所述开口的边缘。

可以通过提供一种等离子体处理设备来实现又一方面，该设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，包括向外突出且被插入和安装形成在腔室壁上的凹槽内的凸起，且被安装成覆盖开口的内周表面以避免其暴露于所述处理空间；第二封盖部件，被安装成覆盖腔室一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向腔室内侧方向形成的表面；以及第三封盖部件，被安装成覆盖所述第二封盖部件的邻近开口的边缘。

附图说明

图1是根据本发明第一示例性实施例的等离子体处理设备的剖视图。

图2是示出图1的腔室中的开口结构的分解透视图。

图3是示出图1的腔室开口的剖面透视图。

图4是图3的腔室开口的剖视图。

图5是示出根据另一适用实例的腔室开口结构的分解透视图。

图6是图5的腔室开口的剖视图。

图7是示出图2的第一封盖部件的形状的透视图。

图8是示出根据本发明第二示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图。

图9是示出根据本发明第三示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图。

图10是示出图9的腔室开口结构的剖视图。

图11是示出图10的腔室开口的剖面的剖视图。

图12是示出根据另一适用实例的腔室开口结构的分解透视图。

图13是示出图12的腔室开口的剖面的剖视图。

图14是示出根据本发明第四示例性实施例的等离子体处理设备中的腔室开口结构的分解透视图。

图15是示出图14的腔室开口结构的剖视图。

图16是示出根据图15的另一适用实例的腔室开口结构的剖视图。