[实用新型]内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET有效
| 申请号： | 201220127047.0 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN202695450U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其由多个单位晶胞(Unit cell)所组成，且在每一单位晶胞中的各沟槽式(trench)结构下，又进一步提供具有电场屏蔽的多个多阶沟槽(multi-step trench)结构，用以形成可提供高击穿电压与低漏电流的一种高可靠性组件。其中，这些单位晶胞的任意一个的结构包含基板、外延层、具有多个多阶栅极沟槽的栅极沟槽单元、具有多个多阶源极沟槽的源极沟槽单元、第一屏蔽井区、第二屏蔽井区、基体接面、源极接面与绝缘层。其中，这些多阶栅(或源)极沟槽的宽度分别地窄于或等于该第一栅(或源)极沟槽的宽度。故借由本实用新型可用以降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 沟槽 电场 屏蔽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET，其特征在于，该MOSFET由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板；外延层，设置于该基板的一侧；栅极沟槽单元，具有第一阶栅极沟槽与第二阶栅极沟槽；源极沟槽单元，具有第一阶源极沟槽与第二阶源极沟槽；第一屏蔽井区，植入于该外延层中，且该第一屏蔽井区包覆该栅极沟槽单元与该源极沟槽单元；第二屏蔽井区，植入于该外延层中，且该第二屏蔽井区包覆该源极沟槽单元的至少一部分；基体接面，设置于该第一屏蔽井区的一侧，且该基体接面在该源极沟槽单元两侧形成重掺杂区；源极接面，设置于该基体接面的一侧，且该源极接面设置于该栅极沟槽两侧；以及绝缘层，设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽。
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