[实用新型]具有超结结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201220082315.1 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN202662610U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀;李铁生;唐纳德·迪斯尼;张磊 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有超结结构的半导体器件。该半导体器件包括在晶片上形成的基本上矩形的第一区和在第一区外围的第二区，在所述第一区中设置沟槽栅极金属氧化物半导体(MOSFET)单元的多个沟槽区和多个立柱，其中相邻的沟槽区被立柱隔开，在沟槽区和立柱之间形成本体区，在所述第二区中形成沿着第一区的相应边延伸的多个立柱，其中，在所述第二区的角落中，多个横向立柱的端部与多个竖向立柱的端部分开并彼此交错。上述方案通过将转角处立柱之间形成为交错结构并在它们之间保持一定间距实现了在转角处的电荷平衡，从而避免了此处击穿的最先发生，从而提高了器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，包括在晶片上形成的基本上矩形的第一区和在第一区外围的第二区，在所述第一区中设置沟槽栅极金属氧化物半导体单元的多个沟槽区和多个立柱，其中相邻的沟槽区被立柱隔开，在沟槽区和立柱之间形成本体区，在所述第二区中形成沿着第一区的相应边延伸的多个立柱，其中，在所述第二区的角落中，多个横向立柱的端部与多个竖向立柱的端部分开并彼此交错。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220082315.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改进手柄安装方式的玻璃水壶
- 下一篇：一种能快速冷却内锅的电压力锅
- 同类专利
- 专利分类
