[实用新型]多工艺腔双面镀膜PECVD装置有效
| 申请号: | 201220062262.7 | 申请日: | 2012-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN202492573U | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
| 发明(设计)人: | 祁宏山;肖新民 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种多工艺腔双面镀膜PECVD装置,用于对太阳能电池片表面进行镀膜处理,具有镀膜腔,所述镀膜腔至少包括连续排列的第一工艺腔、第二工艺腔以及尾端工艺腔,第一工艺腔和尾端工艺腔内分别设有镀膜方向相反的等离子发生器,第二工艺腔内近第一工艺腔一侧设有与第一工艺腔镀膜方向相同的等离子发生器,第二工艺腔内近尾端工艺腔一侧设有与尾端工艺腔镀膜方向相同的等离子发生器。本实用新型采用工艺腔模块化组合的方式,实现对太阳能电池片多层双面一次性连续沉积镀膜,避免了不同工艺之间的交叉污染,有利于镀膜技术的量产化作业,可根据制作工艺需要灵活增加或减少工艺腔的数量。 | ||
| 搜索关键词: | 工艺 双面 镀膜 pecvd 装置 | ||
【主权项】:
一种多工艺腔双面镀膜PECVD装置,用于对太阳能电池片表面进行镀膜处理,具有镀膜腔,所述镀膜腔至少包括连续排列的第一工艺腔(1)、第二工艺腔(2)以及尾端工艺腔(3),第一工艺腔(1)前端设有上料腔(4),尾端工艺腔(3)后端设有下料腔(5),其特征是:第一工艺腔(1)和尾端工艺腔(3)内分别设有镀膜方向相反的等离子发生器(6),第二工艺腔(2)内近第一工艺腔(1)一侧设有与第一工艺腔(1)镀膜方向相同的等离子发生器(6),第二工艺腔(2)内近尾端工艺腔(3)一侧设有与尾端工艺腔(3)镀膜方向相同的等离子发生器(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220062262.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制氟碳阳极机构
- 下一篇:一种单元式细胞培养的微流控芯片
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





