[实用新型]贴片高压硅堆有效

专利信息
申请号: 201220039058.3 申请日: 2012-02-07
公开(公告)号: CN202549833U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 胡庆胜;潘璋 申请(专利权)人: 南通市通州区华昌电子有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/49
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 张惠忠
地址: 226371 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种贴片高压硅堆,包括设置在该贴片高压硅堆两侧的引线,所述贴片高压硅堆底部均匀开设与宽度方向平行的凹槽;贴片高压硅堆的底部凹槽为两个;贴片高压硅堆的两侧引线呈∏型设置。本实用新型采用防爬电墙设置,使得贴片高压硅堆的长度尺寸比轴向高压硅堆的长度尺寸少2mm,长度尺寸减少25%;由于采用引线成型工艺,可以在自动化生产线上使用,无需人工插件,降低了劳动强度,提高了工作效率,保证了产品质量。
搜索关键词: 高压
【主权项】:
一种贴片高压硅堆,包括设置在该贴片高压硅堆两侧的引线,其特征在于:所述贴片高压硅堆底部均匀开设与宽度方向平行的凹槽。
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