[发明专利]用于执行等离子体化学气相沉积工艺的设备有效
| 申请号： | 201210599133.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103160808B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | I·米利塞维克;M·J·N·范斯特拉伦;J·A·哈特苏伊克 | 申请（专利权）人： | 德雷卡通信技术公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于执行等离子体化学气相沉积工艺的设备。该设备包括大体上为圆柱形的共振器，该圆柱形共振器具备外圆柱壁，该外圆柱壁包围围绕圆柱轴线沿圆周方向延伸的共振腔。该共振器还具备在圆柱方向限界共振腔的侧壁部分，并且具备在沿圆周方向围绕圆柱轴线延伸的狭缝结构，该狭缝结构提供从共振腔径向向内的入口。此外，该狭缝结构包括在圆柱方向相互偏移的多个狭缝部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 等离子体 化学 沉积 工艺 设备 | ||
【主权项】：
一种用于执行等离子体化学气相沉积工艺的设备，包括大体上为圆柱形的共振器，该圆柱形共振器具备外圆柱壁，该外圆柱壁包围围绕圆柱轴线沿圆周方向延伸的共振腔，该共振器还具备在圆柱方向限界共振腔的侧壁部分，并且具备在沿圆周方向围绕圆柱轴线延伸的狭缝结构，该狭缝结构提供从共振腔径向向内的入口，其中该狭缝结构包括在圆柱方向相互偏移的多个狭缝部分。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
