[发明专利]光电阵列器件平面化接地方法无效
| 申请号： | 201210596279.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103227119A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋;塞万·拉方波罗塞;刘惠春 | 申请（专利权）人： | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电阵列器件平面化接地方法，包括如下步骤：(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层；(2)通过光刻形成台面图案，陡直刻蚀出内部像素；(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡；(4)淀积金属电极层；(5)淀积互联金属；(6)进行两个芯片的倒装互联，形成电学连接。本发明通过在下接触电极处形成缓坡台面，将金属沉积在缓坡上，从而将下接触电极引至台面上，实现正负电极位于同一平面上，有利于后续的倒装互联。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 阵列 器件 平面化 接地 方法 | ||
【主权项】：
一种光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层；(2)通过光刻形成台面图案，陡直刻蚀出内部像素；(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡；(4)淀积金属电极层；(5)淀积互联金属；(6)进行两个芯片的倒装互联，形成电学连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
