[发明专利]光电阵列器件平面化接地方法无效
| 申请号： | 201210596279.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103227119A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋;塞万·拉方波罗塞;刘惠春 | 申请（专利权）人： | 无锡沃浦光电传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 阵列 器件 平面化 接地 方法 | ||
1.一种光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层；
(2)通过光刻形成台面图案，陡直刻蚀出内部像素；
(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡；
(4)淀积金属电极层；
(5)淀积互联金属；
(6)进行两个芯片的倒装互联，形成电学连接。
2.如权利要求1所述的光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，步骤(2)通过光刻形成台面图案，使用等离子体刻蚀，离子束刻蚀设备陡直刻蚀出内部像素。
3.权利要求1述的光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，步骤(3)通过光刻形成台面图案，使用湿法腐蚀或特殊的等离子体刻蚀工艺刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡。
4.权利要求1述的光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，步骤(4)通过光刻形成电极图案，并通过电子束蒸发、溅射或热蒸发的方法形成内部像素上的上电极与接地像素上的下电极。
5.权利要求4述的光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，步骤(4)中内部像素上的上电极与接地像素上的下电极可以一次沉积，也可以分两次分别沉积。
6.权利要求5述的光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，步骤(4)中内部像素上的上电极仅局限于像素内部，而接地像素上的下电极覆盖整个缓坡台面，将下接触层金属引至台面以上。
7.权利要求1述的光电阵列器件平面化接地方法，其特征在于，步骤(6)使用倒装焊机进行两芯片之间的对准和平行化调节，并通过施加压力和加热完成两个芯片的倒装互联。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
