[发明专利]一种LED外延片及其形成方法有效
| 申请号： | 201210592504.8 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915534B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED外延片及其形成方法，其中形成方法包括提供衬底，并在衬底之上形成缓冲层；在缓冲层之上形成第一掺杂类型的半导体材料层；在第一掺杂类型的半导体材料层之上形成量子阱结构；在量子阱结构之上形成电子阻挡层，其中，包括在量子阱结构上形成第一AlxGa1‑xN层，在形成第一AlxGa1‑xN层过程中，Al的组分x从第一组分值渐变至第二组分值，且第二组分值大于第一组分值，在第一AlxGa1‑xN层上形成第二AlxGa1‑xN层，在形成第二AlxGa1‑xN层过程中，Al的组分x为定值；以及在电子阻挡层之上形成第二掺杂类型的半导体材料层。本发明能够提高LED芯片的内量子效率，促使外延片发光效率的提升，更适合大功率外延片的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底之上形成缓冲层；在所述缓冲层之上形成第一掺杂类型的半导体材料层；在所述第一掺杂类型的半导体材料层之上形成量子阱结构；在所述量子阱结构之上形成电子阻挡层，其中，包括：在所述量子阱结构上形成第一AlxGa1‑xN层，在形成第一AlxGa1‑xN层过程中，Al的组分x从第一组分值渐变至第二组分值，且所述第二组分值大于所述第一组分值，在所述第一AlxGa1‑xN层上形成第二AlxGa1‑xN层，在形成第二AlxGa1‑xN层过程中，Al的组分x为定值，并且所述Al的组分x等于所述第二组分值，其中，第二AlxGa1‑xN层Al的组分x为0.1‑0.25；以及在所述电子阻挡层之上形成第二掺杂类型的半导体材料层。
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