[发明专利]静电放电保护电路有效
申请号: | 201210587584.8 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103904076A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 何介暐;许杞安;俞军军;郝晗 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一静电放电保护电路与连结于一第一垫以及一第二垫之间,在一正常操作状态下,施加于第一垫的电压较施加于第二垫的电压为高。静电放电保护电路包含一具有第一导电型的基板;一位于基板中并具有第二导电型的第一井,其中第一井与第一垫耦接;一由第一井包围的转折装置;及一位于所述基板中的二极管串,其与转折装置串接,并且与第一井分开,其中,串接的二极管串以及转折装置系连结于第一垫与第二垫之间。经过第一井的隔离,静电放电保护电路的持住电压可在不使用保护环的条件下,透过调整二极管串中二极管的数目进行调整。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
一静电放电保护电路连结于一第一垫以及一第二垫之間,在一正常操作状态下,施加于所述第一垫的电压较施加于所述第二垫的电压为高,其中所述静电放电保护电路包含:一具有第一导电型的基板;一位于所述基板中并具有第二导电型的第一井,其中所述第一井与所述第一垫耦接;一由所述第一井包围的转折(snapback)装置;及一位于所述基板中的二极管串,其与所述转折装置串接,并且与所述第一井分开,其中,所述第一井与所述第一垫耦接或是与所述二极管串中的一阴极耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的