[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210586802.6 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103426934A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 柳尚希 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/544;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制造方法。本发明的氧化物薄膜晶体管包括：栅极，所述栅极形成于基板上；栅绝缘层，所述栅绝缘层形成于栅极上；有源层，所述有源层形成于栅极上方的栅绝缘层上；蚀刻停止层图案，所述蚀刻停止层图案形成于有源层上；源极对准元件和漏极对准元件，所述源极对准元件和漏极对准元件形成于蚀刻停止层图案上并且彼此分开；和源极及漏极，所述源极与源极对准元件和有源层接触，所述漏极与漏极对准元件和有源层接触。本发明的阵列基板用于显示装置中，并具有本发明的氧化物薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括：栅极，所述栅极形成于基板上；栅绝缘层，所述栅绝缘层形成于所述栅极上；有源层，所述有源层形成于所述栅极上方的所述栅绝缘层上；蚀刻停止层图案，所述蚀刻停止层图案形成于所述有源层上；源极对准元件和漏极对准元件，所述源极对准元件和漏极对准元件形成于所述蚀刻停止层图案上，其中所述源极对准元件与所述漏极对准元件分开；源极，所述源极与所述源极对准元件和所述有源层接触；和漏极，所述漏极与所述漏极对准元件和所述有源层接触。
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