[发明专利]高压基准电压产生电路

摘要

本发明提供一种高压基准电压产生电路，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；第一NMOS管的栅极接低压基准电压，第一NMOS管的源极接第一电阻的一端，第一电阻的另一端接地，第一NMOS管的衬底与其源极短接；第二NMOS管的源极接第一NMOS管的漏极，两者的共同接点连接到本高压基准电压产生电路的输出端，第二NMOS管的衬底与其源极短接，第二NMOS管的栅极与其漏极短接，第二NMOS管的栅极与其漏极的共同接点连接到第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接一电源端。此外，本发明还提供另一种高压基准电压产生电路。本发明能够基于任一高压产生基准电压，避免重新做一套复杂的基准电压电路，简化电路结构，节约芯片面积。

主权项

一种高压基准电压产生电路（200），包括：第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第一电阻（R1）和第二电阻（R2）；其中，所述第一NMOS管（M1）的栅极接一低压基准电压（Vin），所述第一NMOS管（M1）的源极接所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端接地，所述第一NMOS管（M1）的衬底与其源极短接；所述第二NMOS管（M2）的源极接所述第一NMOS管（M1）的漏极，两者的共同接点连接到所述高压基准电压产生电路（200）的输出端（Vout），所述第二NMOS管（M2）的衬底与其源极短接，所述第二NMOS管（M2）的栅极与其漏极短接，所述第二NMOS管（M2）的栅极与其漏极的共同接点连接到所述第二电阻（R2）的一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接一电源端（VDD）。