[发明专利]一种槽栅功率器件及制造方法

摘要

本发明提供了一种槽栅功率器件及制备方法，包括带有漏区、漂移区、沟道区、源区的半导体衬底，位于半导体衬底内的沟槽，位于漂移区内的沟槽表面的第一介质层和沟道区内的第二介质层，以及填充于第一和第二介质层中的多晶硅，其中，第一介质层的内壁为斜坡状。本发明还提供一种制备上述槽栅功率器件的方法。本发明的槽栅功率器件中具有斜坡状场板结构，可以调整半导体漂移区中的电场强度，使该区域范围内的电场强度都接近或达到临界电场强度，从而有效提高器件的耐压能力。

主权项

一种制备槽栅功率器件的方法，包括：步骤S01：在轻掺杂的半导体衬底表面形成硬掩模；其中包括：采用热氧化方式在半导体衬底表面形成二氧化硅层，再在二氧化硅层表面形成氮化硅层，从而形成双层硬掩模；步骤S02：在所述半导体衬底内形成沟槽；步骤S03：在漂移区的区域内的所述沟槽的部分表面形成内壁为斜坡状的第一介质层；其中，具体包括：(i)在所述沟槽中填充所述第一介质层材料，并进行平坦化处理；(ii)以所述硬掩模为保护层，经干法刻蚀，在所述第一介质层材料的内壁上形成斜坡；(iii)采用湿法腐蚀所述第一介质层材料，降低所述第一介质层高度，露出沟道区的区域内的沟槽侧壁，形成所述内壁为斜坡状的第一介质层；步骤S04：在沟道区的区域内的所述沟槽的部分表面形成第二介质层；步骤S05：在所述第一和第二介质层中填充多晶硅，并进行平坦化处理；步骤S06：去除所述硬掩模，形成所述槽栅功率器件。