[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201210570545.7 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103022150A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，将TFT器件中的源电极和漏电极之间形成的水平沟道结构变更为垂直沟道结构，并将栅极与垂直沟道结构设置在同一水平面上，这样，当栅极加载栅扫描信号时，在有源层与栅极相邻的一侧形成垂直于衬底基板的电流通道，电流通道将与有源层连接的第一电极和第二电极导通，使TFT器件处于开启状态。由于可以通过控制栅极在垂直方向的厚度的方式，实现增加垂直沟道结构的长度，以提升TFT器件的导通电流量，从而提高TFT器件的性能。并且，将TFT结构中的水平沟道结构变更为垂直沟道结构，也能减小TFT器件在基板上占用的面积，有助于提高像素单元的开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的第一电极；形成于所述第一电极上的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上的栅极；形成于所述栅极上的第二绝缘层；贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的有源层，所述有源层与所述栅极相互绝缘；形成于所述有源层上的第二电极，所述第二电极通过所述有源层与位于下层的所述第一电极连接；其中，所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极；或所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。
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