[发明专利]具有电流变压器的比例偏置开关驱动器电路

摘要

提供了一种开关偏置系统，其包括双极结型晶体管(BJT)开关，其包括基极、发射极和集电极；能量储存电路，其被连接到所述BJT的所述集电极，所述能量储存电路向所述BJT的所述集电极供应电流；电流变压器电路，其被连接到所述发射极上，所述电流变压器电路被配置为对流经所述BJT开关的发射极的电流进行传感；以及比例偏置电路，其被配置为向所述BJT开关的基极产生偏置电流，所述偏置电流被设定成与被传感到的流经所述BJT开关的发射极的电流成一比例。

主权项

一种电路模块，包括：比例偏置电路，双极结型晶体管BJT开关器件Q1，包括第一端口和第二端口的电流变压器电路，以及金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET开关；所述比例偏置电路被配置为向所述BJT开关器件Q1的基极产生偏置电流，所述偏置电流被设定成与被传感到的流经所述BJT开关器件Q1的发射极的电流成一比例；其中，所述比例偏置电路包括：双极结型晶体管BJT开关Q3，其包括基极、发射极和集电极，所述BJT开关Q3被配置为向连接到所述BJT开关Q3的所述集电极上的所述BJT开关器件Q1提供比例驱动电流；电阻器，其连接在所述第二端口和所述BJT开关Q3的所述基极之间，所述电阻器被配置为控制在所述BJT开关Q3的所述发射极和所述基极之间的电流；所述电流变压器电路的所述第一端口连接到所述BJT开关Q3的所述发射极，所述电流变压器电路被配置为对流经所述BJT开关器件Q1的电流进行传感；所述金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET开关被串联地连接在所述电流变压器电路和接地极之间，所述MOSFET开关被配置为对流经所述BJT开关器件Q1的所述发射极的电流进行切换，所述MOSFET的所述切换由脉冲宽度调制PWM信号控制，所述PWM信号由电源控制器电路提供。