[发明专利]具有电流变压器的比例偏置开关驱动器电路

权利要求书

1.一种电路模块，包括：

双极结型晶体管(BJT)开关，其包括基极、发射极和集电极，所述BJT被配置为向连接到所述BJT的所述集电极上的器件提供比例驱动电流；

电流变压器，其包括第一端口和第二端口，所述第一端口连接到所述BJT的所述发射极，所述电流变压器电路被配置为对流经所述器件的电流进行传感；以及

电阻器，其连接在所述第二端口和所述BJT的所述基极之间，所述电阻器被配置为控制在所述BJT的所述发射极和所述基极之间的电流。

2.根据权利要求1所述的电路模块，其中，所述比例驱动电流与被传感到的流经所述器件的所述电流成比例。

3.根据权利要求1所述的电路模块，其中，所述电流变压器包括第一绕组和第二绕组，并且其中被传感到的所述电流的所述比例是基于所述第一绕组中的匝数与所述第二绕组中的匝数的比率。

4.根据权利要求1所述的电路模块，其中，所述电流变压器电路为自耦变压器。

5.根据权利要求1所述的电路模块，其中，所述电流变压器电路为环形变压器。

6.根据权利要求1所述的电路模块，其中，所述比例驱动电流向与开关模式电源相关的开关提供偏置。

7.根据权利要求1所述的电路模块，其中，所述比例驱动电流向与马达驱动控制器相关的开关提供偏置。

8.一种方法，包括：

选择性地操作双极结型晶体管(BJT)开关以控制电流，所述BJT开关包括基极、发射极和集电极；

使用连接到所述BJT的所述发射极上的电流变压器来对流经所述BJT开关的所述发射极的电流进行传感，所述电流变压器被配置为对电流进行传感；以及

向所述BJT开关的所述基极产生偏置电流，所述偏置电流被维持成与被传感到的流经所述BJT开关的所述发射极的所述电流成一比例。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关串联地连接在所述电流变压器和接地极之间，所述MOSFET开关被配置为对流经所述BJT开关的所述发射极的电流进行切换。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：基于在所述电流变压器电路的第一绕组中的匝数与在所述电流变压器电路的第二绕组中的匝数的比率来确定被传感到的所述电流的所述比例。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述偏置电流被供应给与开关模式电源相关的开关。

12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在从1伏特至大于700伏特的范围内的电压下操作所述BJT。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述MOSFET的所述切换由脉冲宽度调制(PWM)信号控制，所述脉冲宽度调制信号由电源控制器电路提供。

14.一种系统，包括：

双极结型晶体管(BJT)开关，其包括基极、发射极和集电极；

能量储存电路，其被连接到所述BJT的所述集电极上，所述能量储存电路向所述BJT的所述集电极提供电流；

电流变压器电路，其被连接到所述发射极上，所述电流变压器电路被配置为对流经所述BJT开关的所述发射极的电流进行传感；以及

比例偏置电路，其被配置为向所述BJT开关的所述基极产生偏置电流，所述偏置电流被设定成与被传感到的流经所述BJT开关的所述发射极的所述电流成一比例。

15.根据权利要求14所述的系统，进一步包括：金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关，其被串联地连接在所述电流变压器电路和接地极之间，所述MOSFET开关被配置为对流经所述BJT开关的所述发射极的电流进行切换。

16.根据权利要求14所述的系统，其中，所述电流变压器电路包括第一绕组和第二绕组，并且其中被传感到的所述电流的所述比例是基于所述第一绕组中的匝数与所述第二绕组中的匝数的比率。

17.根据权利要求15所述的系统，其中，所述MOSFET的所述切换由脉冲宽度调制(PWM)信号控制，所述脉冲宽度调制信号由电源控制器电路提供。