[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及存储器的形成方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及存储器的形成方法，在浅沟槽隔离结构的形成方法中，半导体衬底包括第一及第二区域，第一区域形成有第一浅沟槽，第一区域与第二区域之间形成有第二浅沟槽，在第一及第二浅沟槽上形成绝缘层之后，通过在绝缘层上方形成阻挡层增加了第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构的高度。这样，第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构外露边缘形成的凹陷的最低点不会低于半导体衬底的上表面，因而不会造成半导体衬底的边缘暴露出来，在后续制作工艺中，在第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构的保护作用下，半导体衬底的边角不会被去除，从而提高了在半导体衬底上最终形成半导体器件的生产合格率及性能。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，其包括第一区域及第二区域；在所述半导体衬底上形成第一阻挡层，对所述第一阻挡层及半导体衬底进行刻蚀，以在半导体衬底第一区域至少形成一个第一浅沟槽、在半导体衬底第一区域与半导体衬底第二区域之间形成第二浅沟槽；在所述第一阻挡层、第一浅沟槽及第二浅沟槽上形成绝缘层，所述第一区域上方的绝缘层的最高点低于所述第二区域上方的绝缘层的最低点，所述第二浅沟槽上方的绝缘层的最高点低于所述第二区域上方的绝缘层的最低点；在所述绝缘层上形成第二阻挡层，所述第一区域上方的第二阻挡层的最高点低于所述第二区域上方的第二阻挡层的最低点，所述第二浅沟槽上方的第二阻挡层的最高点低于所述第二区域上方的第二阻挡层的最低点；利用化学机械研磨工艺去除所述第二阻挡层及多余的绝缘层，填充有绝缘层的第一浅沟槽形成第一浅沟槽隔离结构，填充有绝缘层的第二浅沟槽形成第二浅沟槽隔离结构；去除剩余第一阻挡层。