[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及存储器的形成方法有效

专利信息
申请号: 201210567988.0 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103021926B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 纪登峰;冯凯 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/8232
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 沟槽 隔离 结构 形成 方法 存储器
【权利要求书】:

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,包括:

提供半导体衬底,其包括第一区域及第二区域;

在所述半导体衬底上形成第一阻挡层,对所述第一阻挡层及半导体衬底进行刻蚀,以在半导体衬底第一区域至少形成一个第一浅沟槽、在半导体衬底第一区域与半导体衬底第二区域之间形成第二浅沟槽;

在所述第一阻挡层、第一浅沟槽及第二浅沟槽上形成绝缘层;

在所述绝缘层上形成第二阻挡层;

利用化学机械研磨工艺去除所述第二阻挡层及多余的绝缘层,填充有绝缘层的第一浅沟槽形成第一浅沟槽隔离结构,填充有绝缘层的第二浅沟槽形成第二浅沟槽隔离结构;

去除剩余第一阻挡层。

2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,所述第二浅沟槽的宽度不小于所述第一浅沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,所述第一阻挡层的材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,所述绝缘层的材料为氧化硅。

5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,所述第二阻挡层的材料为氮化硅。

6.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,所述第二阻挡层的厚度为

7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,所述绝缘层的形成方法为高密度等离子体化学气相沉积。

8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,利用磷酸溶液去除剩余第一阻挡层。

9.一种存储器的形成方法,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述浅沟槽隔离结构的形成方法,所述第一区域为存储器区域,在形成所述第一阻挡层之前,在所述半导体衬底上形成用于制作浮栅的多晶硅层。

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