[发明专利]超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统有效

专利信息
申请号: 201210567572.9 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103903045B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 梅年松;张钊锋 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 王江富
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统,其包括上电判断电路、盘存标记产生电路、二选一电路、数字控制电路;当标签芯片进入读写器的读写范围内时,标签芯片通过整流器上电,此时上电判断电路首先工作,然后将判断结果去控制二选一电路,如果该标签芯片在标准所规定时间内没上过电,则二选一电路将随机状态信号接入到盘存标记产生电路的输入端,使得在盘存标记产生电路的输出端产生新的盘存标记状态值;否则,二选一电路将保持原有输出状态信号接入到盘存标记产生电路的输入端,使得盘存标记产生电路输出的盘存标记状态值与上次上电一致。本发明的超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统,能满足现有UHF频段射频识别协议的要求,并且电路结构简单,功耗超低。
搜索关键词: 超高频 rfid 标签 芯片 通话 盘存 标记 产生 系统
【主权项】:
一种超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统,其特征在于,包括上电判断电路、盘存标记产生电路、二选一电路、数字控制电路;当标签芯片的整流器输出电压高于标签芯片的其他电路开始工作所需要的最低值,则判断为标签芯片上电;如果本次标签芯片上电同前一次标签芯片上电的时间间隔小于设定时间,则本次标签芯片上电后所述上电判断电路的输出为1状态信号,如果本次标签芯片上电同前一次标签芯片上电的时间间隔大于等于设定时间,则本次标签芯片上电后所述上电判断电路的输出为0状态信号;所述二选一电路,当所述上电判断电路输出0状态信号,则选择将随机状态信号输出到所述盘存标记产生电路,当所述上电判断电路输出1状态信号,则选择将所述数字控制电路输出的状态信号输出到所述盘存标记产生电路;所述盘存标记产生电路,根据所述二选一电路的输出的两种状态信号1或0,相应输出两种盘存标记状态值A或B,如果所述二选一电路输出1状态信号,所述盘存标记产生电路输出盘存标记状态值A,如果所述二选一电路输出0状态信号,所述盘存标记产生电路输出盘存标记状态值B;所述数字控制电路,用于在本次标签芯片上电时保持输出与前一次标签芯片上电时所述盘存标记产生电路最后输出的盘存标记状态值相对应的状态信号;如果前一次标签芯片上电时所述盘存标记产生电路最后输出的盘存标记状态值为A,则所述数字控制电路保持输出1状态信号,如果前一次标签芯片上电时所述盘存标记产生电路最后输出的盘存标记状态值为B,则所述数字控制电路保持输出0状态信号。
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