[发明专利]存储器及其读取电路、一种比较电路有效
| 申请号： | 201210564397.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103106916A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其读取电路、一种比较电路。所述读取电路包括译码单元、比较电路及输出单元；所述比较电路包括阈值产生模块、第一比较模块、第二比较模块、电流镜模块、至少一个控制节点及至少一个限流管；其中，所述电流镜模块，适于为所述第二比较模块提供偏置电流；至少一个控制节点，适于传递所述偏置电流至所述第二比较模块；至少一个限流管，设于所述电流镜模块与对应控制节点之间，适于限制所述电流镜模块所产生的耦合电流。本发明技术方案使用了限流管限制电流镜模块产生的耦合电流，能够满足电流镜模块内部晶体管卸载耦合电流的能力，使其晶体管上累积的耦合电流相对减少，避免耦合电流对偏置电流幅值的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 读取 电路 一种 比较 | ||
【主权项】：
一种读取电路，适于对存储器的存储单元进行选择读取，其特征在于，包括：译码单元，适于选择存储单元并读取该存储单元的位线电流；比较电路，包括阈值产生模块、第一比较模块、第二比较模块、电流镜模块、至少一个控制节点及至少一个限流管；所述阈值产生模块，适于提供阈值信号；所述第一比较模块，适于将被选择存储单元的位线电流与预设电流进行比较输出第一读取信号；所述第二比较模块，适于将所述第一读取信号与阈值信号比较并输出第二读取信号；所述电流镜模块，适于为所述第二比较模块提供偏置电流；所述控制节点，适于传递所述偏置电流至所述第二比较模块；所述限流管，设于所述电流镜模块与对应控制节点之间，适于限制所述电流镜模块所产生的耦合电流；输出单元，适于根据所述第二读取信号输出被选择存储单元内的数据。
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